শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড	পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	200 µA @ 1200 V	মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.8 ভি @ 20 এ	প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	-	ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	721 পিএফ @ 0 ভি, 1 এমএইচজেড
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	D2PAK	বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	এসএমসি ডায়োড সমাধান	প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-55°C ~ 175°C	প্যাকেজ / কেস:	TO-263-3, D²Pak (2 লিড + ট্যাব), TO-263AB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	1200 ভি	বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	20A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)	বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	S4D2012

শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড
পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	200 µA @ 1200 V
মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.8 ভি @ 20 এ
প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	-
ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	721 পিএফ @ 0 ভি, 1 এমএইচজেড
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	D2PAK
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	এসএমসি ডায়োড সমাধান
প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-55°C ~ 175°C
প্যাকেজ / কেস:	TO-263-3, D²Pak (2 লিড + ট্যাব), TO-263AB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	1200 ভি
বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	20A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	S4D2012