শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড	পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	10 µA @ 3300 ভি	মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	2.2 ভি @ 300 এমএ	প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	সিক স্কটকি এমপিএস ™	ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	42 পিএফ @ 1 ভি, 1 এমএইচজেড
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	DO-214AA	বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	GeneSiC সেমিকন্ডাক্টর	প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-55°C ~ 175°C	প্যাকেজ / কেস:	DO-214AA, SMB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	3300 ভি	বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	300mA
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)	বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	GAP3SLT33

শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড
পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	10 µA @ 3300 ভি
মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	2.2 ভি @ 300 এমএ
প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	সিক স্কটকি এমপিএস ™
ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	42 পিএফ @ 1 ভি, 1 এমএইচজেড
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	DO-214AA
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	GeneSiC সেমিকন্ডাক্টর
প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-55°C ~ 175°C
প্যাকেজ / কেস:	DO-214AA, SMB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	3300 ভি
বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	300mA
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	GAP3SLT33