শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড	পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	40 µA @ 650 V	মাউন্ট টাইপ:	গর্তের মধ্য দিয়ে
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.75 ভি @ 4 এ	প্যাকেজ:	টিউব
সিরিজ:	-	ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	200 পিএফ @ 0 ভোল্ট, 1 মেগাহার্টজ
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	TO-220AC	বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	এসটিএমাইক্রো ইলেকট্রনিক্স	প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-40°C ~ 175°C	প্যাকেজ / কেস:	TO-220-2
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	650 ভি	বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	4A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)	বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	এসটিপিএসসি 4

শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড
পণ্যের অবস্থা:	সক্রিয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	40 µA @ 650 V
মাউন্ট টাইপ:	গর্তের মধ্য দিয়ে
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.75 ভি @ 4 এ
প্যাকেজ:	টিউব
সিরিজ:	-
ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	200 পিএফ @ 0 ভোল্ট, 1 মেগাহার্টজ
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	TO-220AC
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	এসটিএমাইক্রো ইলেকট্রনিক্স
প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	-40°C ~ 175°C
প্যাকেজ / কেস:	TO-220-2
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	650 ভি
বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	4A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	এসটিপিএসসি 4