শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড	পণ্যের অবস্থা:	নতুন ডিজাইনের জন্য নয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	400 µA @ 600 ভি	মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.55 ভি @ 20 এ	প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	-	ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	730pF @ 1V, 1MHz
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	TO-263AB	বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	রোহম সেমিকন্ডাক্টর	প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	175°C (সর্বোচ্চ)	প্যাকেজ / কেস:	TO-263-3, D²Pak (2 লিড + ট্যাব), TO-263AB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	650 ভি	বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	20A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)	বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	এসসিএস 220

শ্রেণী:	বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড
পণ্যের অবস্থা:	নতুন ডিজাইনের জন্য নয়
বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর:	400 µA @ 600 ভি
মাউন্ট টাইপ:	পৃষ্ঠের মাউন্ট
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি:	1.55 ভি @ 20 এ
প্যাকেজ:	টেপ ও রোল (টিআর) কাট টেপ (সিটি) ডিজি-রিল®
সিরিজ:	-
ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ:	730pF @ 1V, 1MHz
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজ:	TO-263AB
বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr):	0 এনএস
এমএফআর:	রোহম সেমিকন্ডাক্টর
প্রযুক্তি:	SiC (সিলিকন কার্বাইড) Schottky
অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন:	175°C (সর্বোচ্চ)
প্যাকেজ / কেস:	TO-263-3, D²Pak (2 লিড + ট্যাব), TO-263AB
ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ):	650 ভি
বর্তমান - গড় সংশোধন (Io):	20A
গতি:	পুনরুদ্ধারের সময় নেই > 500mA (Io)
বেস প্রোডাক্ট নম্বর:	এসসিএস 220