বিশেষভাবে তুলে ধরা:
প্রস্তুতকারকের অংশ নম্বর: |
RE200B-P |
প্রকার: |
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, লজিক আইসিএস |
বর্ণনা: |
/ |
ভোল্টেজ - ভাঙ্গন: |
/ |
ফ্রিকোয়েন্সি - স্যুইচিং: |
/ |
শক্তি (ওয়াট): |
/ |
অপারেটিং তাপমাত্রা: |
/ |
মাউন্ট টাইপ: |
/ |
ভোল্টেজ - সরবরাহ (মিনিট): |
/ |
ভোল্টেজ - সরবরাহ (সর্বোচ্চ): |
/ |
ভোল্টেজ - আউটপুট: |
/ |
বর্তমান - আউটপুট / চ্যানেল: |
/ |
ঘনত্ব: |
/ |
অ্যাপ্লিকেশন: |
/ |
FET প্রকার: |
/ |
বর্তমান - আউটপুট (সর্বোচ্চ): |
/ |
বর্তমান - সরবরাহ: |
/ |
ভোল্টেজ - সরবরাহ: |
/ |
ফ্রিকোয়েন্সি - সর্বোচ্চ: |
/ |
শক্তি - সর্বোচ্চ: |
/ |
সহনশীলতা: |
/ |
ফাংশন: |
/ |
ভোল্টেজ সরবরাহ - অভ্যন্তরীণ: |
/ |
ফ্রিকোয়েন্সি - কাটঅফ বা কেন্দ্র: |
/ |
বর্তমান - ফুটো (IS(বন্ধ)) (সর্বোচ্চ): |
/ |
বিচ্ছিন্ন শক্তি: |
/ |
ভোল্টেজ - বিচ্ছিন্নতা: |
/ |
বর্তমান - আউটপুট উচ্চ, কম: |
/ |
বর্তমান - পিক আউটপুট: |
/ |
ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (টাইপ): |
/ |
বর্তমান - DC ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বোচ্চ): |
/ |
ইনপুট টাইপ: |
/ |
আউটপুট প্রকার: |
/ |
বর্তমান স্থানান্তর অনুপাত (মিনিট): |
/ |
বর্তমান স্থানান্তর অনুপাত (সর্বোচ্চ): |
/ |
ভোল্টেজ - আউটপুট (সর্বোচ্চ): |
/ |
ভোল্টেজ - অফ স্টেট: |
/ |
স্ট্যাটিক dV/dt (মিনিট): |
/ |
বর্তমান - LED ট্রিগার (Ift) (সর্বোচ্চ): |
/ |
বর্তমান - রাজ্যে (এটি (RMS)) (সর্বোচ্চ): |
/ |
প্রতিরোধ: |
/ |
প্রতিবন্ধকতা - ভারসাম্যহীন/ভারসাম্যহীন: |
/ |
LO ফ্রিকোয়েন্সি: |
/ |
আরএফ ফ্রিকোয়েন্সি: |
/ |
ইনপুট পরিসীমা: |
/ |
আউটপুট পাওয়ার: |
/ |
ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড (নিম্ন / উচ্চ): |
/ |
বিশেষ উল্লেখ: |
/ |
আকার / মাত্রা: |
/ |
মডুলেশন বা প্রোটোকল: |
/ |
ইন্টারফেস: |
/ |
পাওয়ার - আউটপুট: |
/ |
মেমরি সাইজ: |
/ |
প্রোটোকল: |
/ |
মড্যুলেশন: |
/ |
সিরিয়াল ইন্টারফেস: |
/ |
জিপিআইও: |
/ |
ব্যবহৃত আইসি / অংশ: |
/ |
মানদণ্ড: |
/ |
শৈলী: |
/ |
মেমরি টাইপ: |
/ |
লেখার মেমরি: |
/ |
প্রতিরোধ (ওহমস): |
/ |
প্রতিনির্দেশ: |
/ |
বন্দর: |
শেঞ্জেন |
পিআইআর (প্যাসিভ ইনফ্রারেড) সেন্সর RE200B-P RE200B IC অংশ
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!